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对于电子爱好者来说如何区分IGBT和MOS管？

对于电子爱好者来说如何区分IGBT和MOS管？★这里涉及到IGBT是什么?它与MOS管有什么区别吗?它们 两个各有优缺点。其实IGBT就是绝缘栅双极型晶体管。怎样判别绝缘栅双极晶体管(IGBT)的好坏吗?下面本人就简单说一下。绝缘栅双极晶体管(IGBT)是通过栅极驱动电压来控制的开关晶体管，广泛用于变频器中作为直流逆变成交流的电力电子元件。

IGBT管的结构见下图所示。IGBT管的工作原理同场效应晶体管(通常称为MOSFET管)相似，IGBT管的G为栅极，C为集电极，E为发射极。IGBT相对于三极管，场管有很多特殊的地方。以H20R1203为例，它是一个最常用的一个IGBT管的一种。这种结构的管基本上80％带有阻尼二极管，使用中带阻尼IGBT管可以代换不带阻尼的IGBT管使用。

IGBT管可以理解为大功率的三极管、MOS管的一种复合体，或者说是组合体（但是不是简单的组合，而是加了多层半导体材料所形成的）形成的新型电压驱动元器件。IGBT管继承了MOS场管的高阻抗和三极管的高反压的优点。IGBT管检测好坏可以用数字万用表和指针式万用表检测IGBT管的好坏，具体方法如下（以指针式万用表测量）。

①确定三个电极(此时假定管子是好的)。先确定栅极G。将万用表拨在Rx10k挡，若测量到某一极与其他两极电阻值为无穷大，调换表笔后测得该极与其他两极的电阻值仍为无穷大，则可判断此极为栅极(G)。再测量其余两极。若测得电阻值为无穷大，而调换表笔后测得电阻值较小，此时红表笔(实为负极)接的为集电极(C)，黑表笔(实为正极)接的为发射极(E)。

②确定管子的好坏。将万用表拨在Rx 10 k挡，用黑表笔接C极，红表笔接E极，此时万用表的指针在零位，用手指同时触及一极下G和C极，万用表的指针摆向电阻值较小的方向(IGBT被触发导通)，并指示在某一位置；再用手指同时触及一下G极和E极，万用表的指针回零(IGBT被阻断)，即可判断IGBT是好的。如果不符合上述现象，则可判断IGBT是坏的。

用此方法也可检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。★MOS管是单极性晶体管。因为IGBT是由MOS管与三极管组成的。MOS管优缺点:切换频率高，开关速度快点，缺点就是高压时导通电阻高，功耗大，一般低于250V。IGBT因为加了三极管，开关有些延时，拖尾而速度慢点，优点就是高压时导通电阻低，因三极管导通电阻比MOS管要小，双极型比单极型就是电阻小。

在高压时,功率损耗小。在低压时功耗大小看不出来，高压就不一样 了。♥MOS管又称为电力场效应晶体管，是近些年获得最快发展的一种单极型电压控制器件，不但有自关断能力，而且具有输入阻抗高、可以直接与数字逻辑集成电路连接、驱动电路简单功耗小、开关速度快达50kH、开关损耗小、热稳定性好、不存在二次击穿问题和工作可靠等优点。

可应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备等电子电器设备中，但工作电压还不能太高，电流容量也不能太大，所以目前只适用于小功率电力电子装置。1.电力场效应晶体管的结构和工作原理电力场效应晶体管有多种结构形式，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。此处以应用较广泛的单极 VDMOSFET、N沟道增强型为例，介绍电力场效应晶体管的结构和工作原理，其内部结构和图形符号如下图所示。